İNDİYUM ANTİMONİD NANO-TELLERİNİN ELEKTROLİTİK ALAŞIM BİRİKTİRME YÖNTEMİYLE ÜRETİLMESİ VE KARAKTERİZASYONU
İndiyum Antimonid (InSb) iyi bilinen elektro-optik bir malzemedir ve kızılötesi detektörler için yüksek kuantum verimi ve yüksek duyarlılık sunmaktadır. Bununla beraber sıvı azot sıcaklığına soğutulması ihtiyacı, elektro-optik sistemlerin ek ve karmaşık ekipmanlarla büyümesi sonucunu ortaya çıkartan InSb kızılötesi detektörlerin en önemli dezavantajıdır.
Yarı-iletkenlerin tek boyutlu yapıları yani kuantum telleri, üç boyutlu kristallerinden elektronik ve optik özellikleriyle farklılaşmaktadır. InSb kuantum telleri kızılötesi detektör teknolojileri için yüksek kuantum verimi ve duyarlılıkla oda sıcaklığında çalışabilme gibi üstün özellikler vaat etmektedir.
Nano-tellerinin çeşitli üretim yöntemleri mevcuttur. Bu yöntemler arasında anodize alümina şablonların kullanılması, düşük maliyeti ve uygulama kolaylığı ile tercih edilen bir yöntemdir.
Bu çalışmada InSb alaşımı elektrolitik alaşım biriktirme yöntemiyle alümina nano-şablonların içinde büyütülmüştür. Nano-şablonlar alüminyumun anodizasyonuyla elde edilmiş nanometre çaplarında gözeneklere sahip alümina filmlerdir. Şablonlar biriktirilen InSb kristalinin boyutlarını önceden belirlemektedir. Üretilen tellerin çapları 100-10 nm arasında değişmektedir.
Üretilen nano teller yüzey ve kırık-yüzey SEM resimleri alınarak görüntülenmiş, EDS analiziyle In/Sb atomik oranı tespit edilmiştir. FT-IR kullanılarak kızılötesi soğurma spektrumları belirlenip, yarıiletkenin bant aralığı belirlenmeye çalışılmış ve RAMAN spektrumları çekilerek FT-IR sonuçları desteklenmiştir.
|
